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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：1将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3通入气体并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H‑SiC单晶；其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种。本发明的方法能够有效地降低4H‑SiC与熔体的界面能、稳定4H晶型、提高结晶质量并且能够大幅度提高晶体生长速度和降低成本。
主权项：1.一种用于制备n型4H-SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：1将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3通入气体并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H-SiC单晶；其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 用于制备n型4H-SiC单晶的方法
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