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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。薄膜沉积方法可以包括以下步骤：向工艺腔内通入第一化学源和第二化学源；调节所述工艺腔内的气压到第一气压，以使所述第一化学源和所述第二化学源在晶圆表面进行至少一次第一沉积反应，生成第一薄膜；向所述工艺腔内通入第三化学源和第四化学源；以及调节所述工艺腔内的气压到第二气压，以使所述第三化学源和所述第四化学源在晶圆表面进行至少一次第二沉积反应。通过执行这些步骤，该薄膜沉积方法能够根据不同工艺对于反应气压的需求，快速且精准地调节工艺腔内的气压，适用于多种沉积工艺反应，从而实现在同一工艺腔内进行多种沉积工艺，沉积多种薄膜，用以同时满足对于成膜质量和产能的需求。
主权项：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：向工艺腔内通入第一化学源和第二化学源；调节所述工艺腔内的气压到第一气压，以使所述第一化学源和所述第二化学源在晶圆表面进行至少一次第一沉积反应，生成第一薄膜；向所述工艺腔内通入第三化学源和第四化学源；以及调节所述工艺腔内的气压到第二气压，以使所述第三化学源和所述第四化学源在晶圆表面进行至少一次第二沉积反应。
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