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申请/专利权人：西北工业大学宁波研究院;西北工业大学
摘要：本发明提供了一种亚波长金属光栅偏振器件结构及其晶圆级制造方法，包括：基底；第一介质层，沉积于基底顶端；第二介质层，沉积于第一介质层顶端；多个介质光栅层，沉积于第二介质层顶端并沿第二介质层的长度方向间隔设置，每相邻的两个介质光栅层之间分别形成沟槽，各介质光栅层和第二介质层的材质具有相同的折射率，各介质光栅层的光栅周期小于入射光的入射波长；多个第一金属层，分别沉积于各沟槽内；多个第二金属层，分别沉积于各介质光栅层顶端，各第二金属层和各第一金属层的材质具有相同的介电常数。有益效果是本发明能够在获得优良偏振性能的同时减小微纳加工工艺难度，并实现亚波长金属光栅偏振器件结构的大面积、高保真、高效率制造。
主权项：1.一种亚波长金属光栅偏振器件结构，其特征在于，包括：一基底（1）；一第一介质层（2），沉积于所述基底（1）的顶端；一第二介质层（3），沉积于所述第一介质层（2）的顶端；多个介质光栅层（4），沉积于所述第二介质层（3）的顶端并沿所述第二介质层（3）的长度方向间隔设置，每相邻的两个所述介质光栅层（4）之间分别形成一沟槽，各所述介质光栅层（4）和所述第二介质层（3）的材质具有相同的折射率，各所述介质光栅层（4）的光栅周期小于入射光的入射波长；多个第一金属层（5），分别沉积于各所述沟槽内；多个第二金属层（6），分别沉积于各所述介质光栅层（4）的顶端，各所述第二金属层（6）和各所述第一金属层（5）的材质具有相同的介电常数；所述第一介质层（2）的厚度满足以下表达式： ；其中， 表示所述第一介质层（2）的厚度； 表示入射光增透波段的波长； 表示所述第一介质层（2）的折射率。
全文数据：
权利要求：
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