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申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
摘要：本发明提供一种大尺寸高品质n型单晶硅片的制备方法，涉及大尺寸硅片加工技术领域。所述制备方法主要包括：炉体内加热器和水冷屏设计、加热融化、引晶、快速提拉缩径、慢速提拉和降温放肩、等径生长、快速提拉和升温收尾、切割清洗等步骤。本发明克服了现有技术的不足，提升硅片生产中电阻率的均匀性，并且提升少子寿命，综合提升大尺寸n型单晶硅片的品质。
主权项：1.一种大尺寸高品质n型单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1炉体设计：单晶炉内加热机构设置为下端开孔的筒状石墨加热器，且设置石英坩埚的高度为700±50mm，坩埚的直径1200±100mm，并设置水冷屏上端呈圆柱状，下端呈漏斗状；2加热融化：将高纯多晶硅原料放入单晶炉内的石英坩埚中，在抽真空并气体保护的情况下进行加热至完全融化，得硅熔体；3引晶：待炉内温度稳定后，将籽晶缓慢浸入硅熔体表面，进行引晶；4缩径：引晶完成后，快速向上提拉晶体，缩小晶体直径，进行缩径；5放肩：缩径完成后，降低提拉速度至60-80mmh，降低加热温度至1400-1450℃，使单晶硅直径逐渐增大到目标直径，进行放肩；6等径生长：待晶体直径达到目标直径后，调整加热器功率和提拉速度，进行等径生长；7收尾：晶体生长结束时，提高拉晶速度至200-250mmh，提高加热温度至1500-1550℃，使得晶体直径不断减小，离开熔体表面，完成收尾，冷却至室温，开炉取出晶体；8切割：将取出的晶体采用线切割机切成大尺寸的硅片，去除硅片切割时产生的锯痕和破损后清洗，得大尺寸高品质n型单晶硅片。
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权利要求：
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