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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
摘要：本公开涉及用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式。本文中公开了一种方法，其中每个易失性存储器单元具有与其相关联的至少一个非易失性存储器单元。该方法包括步骤：a接收包括至少一个地址和要写入该至少一个地址的至少一个数据字的非易失性写入指令，b在至少一个地址处将至少一个数据字写入字的易失性存储器单元，以及c通过个体地寻址用于非易失性写入的这些非易失性存储器单元，但是不从其他易失性存储器单元向其相关联的非易失性存储器单元写入数据，因为这些非易失性存储器单元未被寻址，从而将来自在步骤b期间写入的易失性存储器单元的数据写入与这些易失性存储器单元相关联的非易失性存储器单元。
主权项：1.一种对包含可逐字地寻址的多个非易失性静态随机存取存储器NVSRAM单元的存储器执行非易失性写入的方法，每个NVSRAM存储器单元包括易失性存储器单元和与其相关联的至少一个非易失性存储器单元，所述方法包括以下步骤：a接收非易失性写入指令，所述非易失性写入指令包括至少一个地址和要写入所述至少一个地址处的所述NVSRAM单元的至少一个数据字；响应于接收到所述非易失性写入指令：b将所述至少一个数据字写入包括在所述非易失性写入指令内的所述至少一个地址处的所述NVSRAM单元的所述易失性存储器单元；以及c在指定时间，将来自在步骤b期间写入的、在所述至少一个地址处的所述NVSRAM单元的所述易失性存储器单元的所述至少一个数据字写入与这些易失性存储器单元相关联的所述非易失性存储器单元，但是不从其他NVSRAM单元的其他易失性存储器单元向其相关联的非易失性存储器单元写入数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式
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