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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2020-04-14
公开（公告）日：2024-08-30
公开（公告）号：CN112582401B
专利技术分类：.....有绝缘栅场效应晶体管的组件[2006.01]
专利摘要：本发明描述了用于形成具有气隙的栅极间隔件结构以减小晶体管的栅极结构和源极漏极接触件之间的寄生电容的方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上形成栅极结构，并且在栅极结构的侧壁表面上形成间隔件堆叠件—其中，间隔件堆叠件包括与栅极结构接触的内部间隔件层、位于内部间隔件层上的牺牲间隔件层和位于牺牲间隔件层上的外部间隔件层。该方法还包括去除牺牲间隔件层以在内部间隔件层和外部间隔件层之间形成开口，在内部和外部间隔件层的顶面上沉积聚合物材料，蚀刻内部和外部间隔件层的顶部侧壁表面以形成锥形顶部，以及沉积密封材料。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
专利权项：1.一种半导体结构，包括：栅极结构，位于鳍上；覆盖层，位于所述栅极结构上；导电结构，与所述栅极结构相邻；以及间隔件结构，介于所述栅极结构和所述导电结构之间，其中，所述间隔件结构包括：第一间隔件层，与所述栅极结构和所述覆盖层的侧壁表面接触；第二间隔件层，通过间隙与所述第一间隔件层间隔开；以及密封层，设置在所述第一间隔件层和所述第二间隔件层之间的所述间隙之上，并且所述密封层与所述第一间隔件层的顶部的侧表面以及所述第二间隔件层的顶部的侧表面接触处均为锥形侧壁。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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