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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要：本发明公开一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构，属于集成电路领域。所述ESD静电保护结构整体位于独立的深N阱中，且与P型衬底无直接接触；所述深N阱将ESD器件与所述P型衬底隔离开，使每个ESD静电保护结构相互独立；所述深N阱外围边缘一圈有N阱环，所述N阱环通过阱接触N+接至电源，为所述深N阱提供电位；所述N阱环的外围环绕一圈P型衬底接触环作为隔离，所述P型衬底接触环接地。所述ESD静电保护结构对电源、对地都有快速的ESD电流泄放通路，给端口信号带来的寄生效应小，整个ESD保护结构所占面积小，布线简单，版图很容易布局。该保护结构人体模型测试达4kV以上，适用于高速存储器电路的各路信号端口。

主权项：1.一种适用于高速存储器电路的ESD静电保护结构，其特征在于，包括：所述ESD静电保护结构整体位于独立的深N阱1中，且与P型衬底11无直接接触；所述深N阱1将ESD器件与所述P型衬底11隔离开，使每个ESD静电保护结构相互独立；所述深N阱1外围边缘一圈有N阱环7，所述N阱环7通过阱接触N+8接至电源，为所述深N阱1提供电位；所述N阱环7的外围环绕一圈P型衬底接触环9作为隔离，所述P型衬底接触环9接地；所述ESD静电保护结构采用寄生PNP三极管、寄生NPN三极管和二极管相结合的方式，对电源和对地都有ESD泄放通路；其中，所述寄生PNP三极管包括P+3、N阱2、P阱10；所述P+3作为所述寄生PNP三极管的发射极，接端口信号，呈正方形；所述N阱2作为所述寄生PNP三极管的基极，包围所述P+3，且无阱接触；所述P阱10作为所述寄生PNP三极管的集电极，通过衬底接触P+6接地，所述衬底接触P+6呈环状，围在双N+环4的外围；所述寄生NPN三极管包括双N+环4、P阱10、N阱2；所述双N+环4作为所述寄生NPN三极管的发射极，通过金属线接地，围在所述N阱2的外围；所述P阱10作为所述寄生NPN三极管的基极，通过衬底接触P+6接地；所述N阱2作为所述寄生NPN三极管的集电极，无阱接触；所述二极管为2个并联的N+P阱二极管，分别包括N+5和P阱10；两个N+5均接端口信号，呈长条状；所述P阱10通过衬底接触N+6接地，所述衬底接触P+6包围所述N+5一圈。

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