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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：这种半导体装置包括堆叠结构，其中沟道形成区层CH1、CH2和栅电极层G1、G2、G3交替地堆叠在基板50上。堆叠结构的最低层由第一层栅电极层G1占据。堆叠结构的最上层由第NN≥3层栅电极层G3占据。每个栅电极层包括第一端面11、第二端面12、第三端面13和第四端面14。第一端面11和第三端面13彼此相对。第二端面12和第四端面14彼此相对。奇数栅电极层G1、G3的第一端面11连接到第一接触部41。偶数栅电极层G2的第三端面13连接到第二接触部42。
主权项：1.一种半导体装置，包括：堆叠结构，具有在基板上交替地布置在彼此顶部上的沟道形成区层和栅电极层，其中，所述堆叠结构的最低层形成第一层所述栅电极层，所述堆叠结构的最上层形成第N层所述栅电极层，其中，N≥3，每个所述栅电极层具有第一端面、第二端面、与所述第一端面相对的第三端面、以及与所述第二端面相对的第四端面，奇数层的所述栅电极层的第一端面连接到第一接触部，以及偶数层的所述栅电极层的第三端面连接到第二接触部；其中，每个所述沟道形成区层包括沟道结构部，所述沟道结构部包括与连接所述第二端面和所述第四端面的线平行延伸的多个纳米片结构，并且其中，所述纳米片结构被设置为彼此分离，所述第一接触部和所述第二接触部中的一个与第一布线连接，所述第一接触部和所述第二接触部中的另一个与第二布线连接，所述第一布线是信号线，并且所述第二布线是反偏置电势电源线，并且其中，彼此不同的电势被施加到所述第一布线和所述第二布线，以及所述第二布线的布线长度长于所述第一布线的布线长度。
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百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置
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