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申请/专利权人：加利福尼亚大学董事会
摘要：一种半导体器件制造方法，其中，在生长工艺之后进行覆盖工艺，在所述覆盖工艺中，将含荧光体材料覆盖层沉积在最终的基于GaAs的层上。能够从反应室中移出容纳许多此类衬底的晶片，以在以后的时间继续处理而无需在最终的基于GaAs的层上产生氧化层。在连续处理中，分解工艺选择性地分解含荧光体材料覆盖层，此后进行再生长工艺以生长所述器件结构的其它层。在器件制造期间，所述覆盖工艺、分解工艺和再生长工艺能够在晶片上的半导体器件上重复多次。
主权项：1.一种制造基于GaAs的半导体器件结构的方法，包括：a通过在具有第一类型掺杂的半导体衬底上生长具有第一类型掺杂的半导体器件结构的元件，并且以生长所述器件的最终的基于GaAs的层结束，在反应室中进行生长工艺；b通过在所述生长工艺期间形成的最终的基于GaAs的层上沉积含荧光体半导体材料覆盖层，进行覆盖工艺，其中，所述含荧光体半导体材料覆盖层防止所述半导体器件结构的元件在暴露于大气条件时氧化；c在反应室内进行原位分解和外延再生长，其包括如下步骤：i通过使用高温解吸来选择性地分解所述含荧光体半导体材料覆盖层，进行分解工艺；以及ii进行再生长工艺，在所述再生长工艺中，使所述基于GaAs的半导体器件结构的其它层生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 加利福尼亚大学董事会 磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长
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