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申请/专利权人：武汉科技大学
摘要：一种双层碳包覆硅负极材料的制备方法及其应用。该方法包括如下步骤：S1：选用多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料，放入回转炉或者流化床中，在惰性气氛下以一定升温速率加热至一定温度，通入含碳气氛，保温一定时间，冷却至室温得到单层碳包覆硅材料CSi；S2：使用混料机将S1获得的样品CSi与沥青粉按一定比例充分混合均匀；S3：将S2获得的样品放入高温包覆机中，在惰性气氛下以一定搅拌速率和一定升温速率，分三段保温，保温结束后冷却至室温取出；S4：将S3获得的样品放入箱式炉中，在惰性气氛下以一定升温速率升至高温碳化，保温一段时间后，冷却至室温取出，即可得到双层碳包覆的硅负极材料PCCSi。
主权项：1.一种双层碳包覆硅材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：选用多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料，放入回转炉或者流化床中，在惰性气氛下以一定升温速率加热至一定温度，通入含碳气氛，保温一定时间，冷却至室温得到单层碳包覆硅材料CSi；S2：使用混料机将S1获得的样品CSi与沥青粉按一定比例充分混合均匀；S3：将S2获得的样品放入高温包覆机中，在惰性气氛下以一定搅拌速率和一定升温速率，分三段保温，保温结束后冷却至室温取出；S4：将S3获得的样品放入箱式炉中，在惰性气氛下以一定升温速率升至高温碳化，保温一段时间后，冷却至室温取出，即可得到双层碳包覆的硅负极材料PCCSi。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉科技大学 一种双层碳包覆硅材料、制备方法及其应用
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