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申请/专利权人：广州粤升半导体设备有限公司
摘要：本实用新型涉及石墨坩埚技术领域，具体公开了一种提高长晶质量的装置，通过在石墨坩埚的熔融腔内壁上分别设有导流块和稳流块，当籽晶杆在熔融腔内与液相长晶原料接触后进行高速旋转时，导流块能够限制液相原料的旋转流动方向从而使液相原料变得稳定均匀，而稳流块能够限制液相原料在旋转状态下的液面波动，从而使液面保持稳定，并且在籽晶杆上也设有导流结构，使得籽晶杆在高速旋转时能够使液相原料在熔融腔内顺畅流动，特别是在籽晶杆突然反转的时候不会使液相原料内部产生乱流，从而减少液面的波动程度，通过熔融腔内壁上的导流块和稳流块以及籽晶杆上导流结构的配合，能够有利于保持长晶过程中液相原料液面的稳定，从而提高长晶质量。
主权项：1.一种提高长晶质量的装置，包括石墨坩埚1和用于在石墨坩埚1内与熔融状态的原料接触后进行旋转提拉用于长晶的籽晶杆2，其特征在于，所述石墨坩埚1设有熔融腔10，所述熔融腔10内壁分别设有若干用于限制液相原料的旋转流动方向使其变得稳定的导流块11和用于限制液相原料液面波动使其液面保持稳定的稳流块12，所述籽晶杆2也设有用于使液体顺畅流动从而减小液面波动程度的导流结构20。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州粤升半导体设备有限公司 一种提高长晶质量的装置
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