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申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司
摘要：本实用新型提供一种氧化镓场效应晶体管，包括氧化镓基片、源极区、漏极区以及栅极区，栅极区包含与氧化镓基片的一部分接触的具有凹槽的栅极绝缘介质，以及形成在该凹槽内的栅极金属，所述栅极绝缘介质分别向源极区和漏极区延伸，并完全覆盖源极欧姆金属与漏极欧姆金属之间的区域；第一源场板具有镂空结构区域，该镂空结构区域至少覆盖所述栅极区的部分区域。本实用新型对场板结构进行镂空设计，降低栅场板与源场板之间的正对面积，从而降低栅、源之间的寄生电容，也即降低了电荷量，充电时间就会变短，电荷提供的越快，器件的电压改变的也就越快，因此栅、源输入电容的降低能改善器件的转换效率及频率特性。
主权项：1.一种氧化镓场效应晶体管，其特征在于，包括：氧化镓基片；源极区，其形成于所述氧化镓基片中且包含与所述氧化镓基片的一部分接触的源极欧姆金属及源极离子注入区；漏极区，其形成于所述氧化镓基片中且与所述源极区分离，包含与所述氧化镓基片的一部分接触的漏极欧姆金属及漏极离子注入区；以及设置于所述源极区与所述漏极区之间的栅极区，其形成于所述氧化镓基片中且包含与氧化镓基片的一部分接触的具有凹槽的栅极绝缘介质，以及形成在该凹槽内的栅极金属，该栅极金属一侧具有朝向漏极区延伸的栅场板，所述栅极绝缘介质分别向源极区和漏极区延伸，并完全覆盖源极欧姆金属与漏极欧姆金属之间的区域；所述源极欧姆金属上形成有第一源极互连金属，该第一源极互连金属一侧具有朝向漏极区延伸并跨越所述栅场板的第一源场板，该第一源场板具有镂空结构区域，该镂空结构区域至少覆盖所述栅极区的部分区域。
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权利要求：
百度查询： 合肥艾创微电子科技有限公司 一种氧化镓场效应晶体管
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