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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，包括：1在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层；2N面金属电极制作；3P面金属膜层制作；4管芯切割；5P面金属电极图形制作：将粘性膜贴附在LED晶片正面，并将粘性膜撕掉，从而剥离掉P面电极表面的切割碎屑；再将粘性膜贴附在LED晶片正面，第二次将粘性膜撕掉，从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属，得到完整的P面金属电极图形；6去胶清洗。本发明提供制作方法简单、易操作，整个管芯的制作效率提升10％以上，不使用切割保护液，同时降低了电极剥离过程中有机溶剂和去胶液的使用，节约材料成本30％以上。
主权项：1.一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，包括：1LED管芯前期制作：在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层，并将衬底的背面进行减薄；2N面金属电极制作：通过蒸镀或者溅射的方法在衬底的背面制作N面金属电极；3P面金属膜层制作：使用负性光刻胶在步骤2制备的LED晶片正面制作出电极掩膜图形；再通过蒸镀或者溅射的方法，在电极掩膜图形表面制作整面P面金属膜层，且不进行剥离操作；4管芯切割：将粘性膜贴附LED晶片背面上，从LED晶片正面进行切割，将LED晶片切割成单个管芯；5P面金属电极图形制作：将粘性膜贴附在LED晶片正面，第一次将粘性膜撕掉，从而剥离掉P面金属膜层表面的切割碎屑；再将粘性膜贴附在LED晶片正面，第二次将粘性膜撕掉，从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属，得到完整的P面金属电极图形；6去胶清洗：使用去胶液清洗LED晶片正面残留的光刻胶，再将LED晶片放入清洗机中清洗。
全文数据：
权利要求：
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