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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型耐压的VDMOSFET结构，所述的VdMosfet结构包括漏极、半导体基础层、源极、栅极以及抑源层，所述半导体基础层包括衬底层、扩散层、P体区以及N体区；所述P体区包括轻掺杂P体区和重掺杂P体区，所述N体区包括重掺杂N体区和轻掺杂N体区；所述衬底层的厚度一致，并且衬底层的内部嵌设有绝缘层，并致使衬底层呈中间凸起两侧低洼的形状；所述半导体基础层的表面且靠近栅极的下方位置处开设有沟槽；所述栅极的表面包裹有氧化层。本发明通过在MOS半导体的底层嵌设绝缘层，在MOS半导体的上表面处开设沟槽，这样在漏极与栅极接入电压的瞬间，不会因电压的脉冲将半导体基础层给击穿，该设计可以有效提高该MOS半导体的抗压性。
主权项：1.一种新型耐压的VDMOSFET结构，其特征在于，所述VDMOSFET结构包括漏极1、半导体基础层、源极5、栅极8以及抑源层10，所述半导体基础层包括衬底层3、扩散层4、P体区以及N体区；所述P体区包括轻掺杂P体区11和重掺杂P体区12，所述N体区包括重掺杂N体区6和轻掺杂N体区13；所述衬底层3的厚度一致，并且衬底层3的内部淀积有绝缘层2，并致使衬底层3呈中间凸起两侧低洼的形状；所述半导体基础层的表面且靠近栅极8的下方位置处开设有沟槽9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种新型耐压的VDMOSFET结构
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