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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种垂直型源极的碳化硅SiCVDMOSFET器件，包括若干个呈并列排列设计的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、半导体基层、源极和栅极，所述半导体基层的中间表面区域开设有沟槽，且源极呈向下垂直状，并分别位于沟槽的左右两侧，所述半导体基层包括衬底层、扩散层以及P体区和N体区，所述衬底层呈左右两侧高中心中间低洼的设计。本发明沟槽能够增大该MOS半导体的表面积，这样就可以提高散热的效率，增加了P体区和N体区的厚度，这样可以增加在漏极与源极之间形成通路之后的承压阈值，能够做到人为对沟道层厚度的干预，以此来让该MOS半导体在特种电压下具有最优功率。
主权项：1.一种垂直型源极的碳化硅SiCVDMOSFET器件，其特征在于，包括若干个呈并列排列设计的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极1、半导体基层、源极7和栅极11，所述半导体基层的中间表面区域开设有沟槽12，且源极7呈向下垂直状，并分别位于沟槽12的左右两侧；所述半导体基层包括衬底层2、扩散层3以及P体区和N体区，所述衬底层2呈左右两侧高中心中间低洼的设计；单个所述MOS元胞中P体区内通过离子注入形成有N体区，所述N体区位于所述沟槽12的两侧，所述N体区的顶端与源极7的下垂端欧姆短接；所述漏极1与栅极11之间接入电压状态下，其P体区底部靠近栅极11位置处形成沟道层14。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种垂直型源极的碳化硅SiC VDMOSFET器件
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