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申请/专利权人:美格纳半导体有限公司
摘要:本公开内容提供了一种快速恢复二极管和用于制造快速恢复二极管的方法。快速恢复二极管包括:衬底;形成在衬底上的外延层;形成在外延层的上部中的P型低浓度掺杂区域和形成在P型低浓度掺杂区域上的P型高浓度掺杂区域;形成在外延层的上部中以围绕P型低浓度掺杂区域和P型高浓度掺杂区域的P型保护环;形成在P型保护环和P型高浓度掺杂区域上的场氧化层;形成为与场氧化层的一部分和P型高浓度掺杂区域交叠的阳极电极;以及形成在衬底下方的阴极电极。
主权项:1.一种快速恢复二极管,包括:衬底;形成在所述衬底上的外延层;形成在所述外延层的上部中的P型低浓度掺杂区域和形成在所述P型低浓度掺杂区域上的P型高浓度掺杂区域;形成在所述外延层的上部中以围绕所述P型低浓度掺杂区域和所述P型高浓度掺杂区域的P型保护环;形成在所述P型保护环和所述P型高浓度掺杂区域上的场氧化层;形成为与所述场氧化层的一部分和所述P型高浓度掺杂区域交叠的阳极电极;以及形成在所述衬底下方的阴极电极。
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百度查询: 美格纳半导体有限公司 快速恢复二极管和用于制造快速恢复二极管的方法
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