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申请/专利权人：杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种基于不同升降温速率下热力耦合硅部件仿真方法及系统，涉及半导体器件仿真技术领域。利用有限元分析软件模拟硅部件在升降温过程中的温度场变化和热应力变化，通过比较最大热应力与硅部件的屈服强度和或抗拉强度，并结合温度‑时间变化曲线，能够确定合适的升降温速率限制范围，保证了硅部件在升降温过程中不会产生过大的热应力，避免了塑性变形或断裂等问题的发生，可以指导实际生产过程中的温度控制，确保硅部件在制造和使用过程中受到的温度变化不会超过其承受极限。这有助于提高产品的可靠性和寿命，减少因温度变化引起的故障和失效。能更好地指导生产过程中的温度控制设备选型、工艺参数设置，从而降低设计和生产成本。
主权项：1.一种基于不同升降温速率下热力耦合硅部件仿真方法，其特征在于，包括步骤：S101，在有限元分析软件中导入分析对象的几何模型，设置温度边界条件和温度场分析条件，运行瞬态温度场分析，得到温度-时间变化曲线；其中，所述分析对象为半导体硅部件；S102，将所述温度-时间变化曲线输入到瞬态结构应力分析模型，设置力学边界条件和力学分析条件，运行瞬态结构应力分析，得到最大热应力-时间变化曲线；S103，将所述最大热应力-时间变化曲线与所述分析对象的屈服强度和或抗拉强度比较，结合所述温度-时间变化曲线，得到升降温速率的限制范围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 基于不同升降温速率下热力耦合硅部件仿真方法及系统
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