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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种反熔丝单元及制作方法、反熔丝阵列及操作方法，涉及半导体技术领域，反熔丝单元包括：第一连接端，包括第一掺杂区以及设置在第一掺杂区下方的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型相反，第一掺杂区和第二掺杂区连接并形成PN结；第二连接端，至少覆盖第二掺杂区；介质层，设置在第二连接端和第二掺杂区之间，第二连接端和第二掺杂区通过介质层隔开。在本公开中，反熔丝单元仅由第一连接端、第二连接端以及介质层构成，无需在反熔丝单元的周边为其配置选择晶体管，减小了反熔丝单元的尺寸，能够进一步减小反熔丝单元的布局面积。
主权项：1.一种反熔丝单元，其特征在于，包括：第一连接端，包括第一掺杂区以及设置在所述第一掺杂区下方的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的导电类型相反，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区连接并形成PN结；第二连接端，至少覆盖所述第二掺杂区；介质层，设置在所述第二连接端和所述第二掺杂区之间，所述第二连接端和所述第二掺杂区通过所述介质层隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝单元及制作方法、反熔丝阵列及操作方法
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