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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种带有钳位二极管的p‑GaNHEMT结构。本发明的结构，在传统p‑GaNHEMT一侧引入栅漏短接的p‑GaNHEMT二极管结构，一定时间的漏应力作用之后，在测量主功率管的阈值电压时，栅极施加电压，钳位区的二极管处于开启状态，可以使主功率管区的PGaN层和地端相连接，避免使其处于浮空状态，消除储存在PGaN层中的负电荷，减缓漏应力造成的GaNHEMT阈值正漂现象，实现更稳定的阈值电压，改善了器件性能。
主权项：1.一种带有钳位二极管的p-GaNHEMT结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底1、缓冲层2、GaN沟道层3、AlN层4、势垒层5，沿器件横向方向，从势垒层5上表面的一端到另一端分别具有第一金属111、第二金属10、第三金属112，第一金属111、第二金属10、第三金属112之间具有间距，第二金属10引出源电极，并且第二金属10将器件分为主功率管区和钳位区，其中主功率管区是第二金属10至第一金属111的区域，钳位区是第二金属10至第三金属112的区域；在主功率管区的势垒层5上表面具有第一p型GaN层61，第一p型GaN层61与第二金属10和第一金属111之间具有间距，并且第一p型GaN层61与第一金属111之间的区域为器件的漂移区，第一金属111引出漏电极；在钳位区的势垒层5上表面具有第二p型GaN层62，第二p型GaN层62与第二金属10和第三金属112之间具有间距；第二p型GaN层62的上表面具有第四金属7，第二p型GaN层62和第四金属7形成肖特基接触，第四金属7与第三金属112电气连接；第一p型GaN层61上表面具有第五金属8和第六金属9，第一p型GaN层61和第五金属8形成肖特基接触，第五金属8和第六金属9沿器件纵向方向位于第一p型GaN层61上表面两端，第五金属8引出栅电极，第六金属9和第四金属7电气连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种带有钳位二极管的p-GaN HEMT结构
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