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申请/专利权人：湖南工商大学
摘要：本申请属于光学传感领域，尤其涉及一种基于椭圆孔的全介质BIC高灵敏传感器，该全介质BIC高灵敏传感器中的超表面阵列包括在x方向和y方向上周期性排列的多个超表面单元结构，超表面单元结构包括方形硅基底和上下贯穿所述方形硅基底设置的四个椭圆孔，椭圆孔的复杂性使得该结构具有多种参数调控方法，通过对四个椭圆孔中位于方形硅基底的第一对角线上的两个椭圆孔进行短轴改变或对四个椭圆孔中位于方形硅基底的第一对角线上的两个椭圆孔进行角度旋转的方式进行系统性破缺，造成系统对称性被破坏，将BIC转换为QBIC模式，提供一种超高灵敏度的折射率传感器。
主权项：1.一种基于椭圆孔的全介质BIC高灵敏传感器，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上的超表面阵列，所述超表面阵列包括多个超表面单元结构，多个所述超表面单元结构在x方向和y方向上周期性的排列在所述衬底上，多个所述超表面单元结构在x方向和y方向的排列周期均为1000nm；所述超表面单元结构包括方形硅基底和上下贯穿所述方形硅基底设置的四个椭圆孔，所述方形硅基底的厚度为400nm，四个所述椭圆孔的中心分别位于一个边长为500nm的虚拟正方形的四个顶点上，所述虚拟正方形与所述方形硅基底同心设置，且所述虚拟正方形的对角线与所述方形硅基底的对角线重合；其中，四个所述椭圆孔在所述方形硅基底上具有短轴破缺分布方式或角度破缺分布方式，在所述短轴破缺分布方式下，四个所述椭圆孔的长轴长度均为400nm且均沿着所述x方向，位于所述方形硅基底的第一对角线上的两个所述椭圆孔的短轴长度大于位于所述方形硅基底的第二对角线上的两个所述椭圆孔的短轴长度，位于所述方形硅基底的第一对角线上的两个所述椭圆孔的短轴长度均为240nm+2△b，△b大于0，位于所述方形硅基底的第二对角线上的两个所述椭圆孔的短轴长度均为240nm；在所述角度破缺分布方式下，四个所述椭圆孔的尺寸相同，四个所述椭圆孔的长轴长度均为400nm，短轴长度均为240nm，位于所述方形硅基底的第一对角线上的两个所述椭圆孔的长轴与所述x方向呈夹角设置，位于所述方形硅基底的第二对角线上的两个所述椭圆孔的长轴沿着所述x方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南工商大学 一种基于椭圆孔的全介质BIC高灵敏传感器
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