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申请/专利权人：郑云峰;安提思脑科学研究院(北京)有限公司
摘要：本申请涉及一种中枢神经磁刺激装置，包括电源、控制电路和线圈部件，所述控制电路包括主控芯片和主电路，所述电源为所述控制电路供电，所述控制电路输出时变电流至所述线圈部件，以产生相应的时变磁场；所述时变磁场的区域与头部尺寸相匹配，所述时变电流以预设频率输出，且以适当占空比构成节律性簇状发放的串列，或者以差频方式形成包络线输出节律特性。该中枢神经磁刺激装置能够对大脑施加磁场强度分布近似均匀而可达深脑的弱强度高频载波的节律性簇状发放的磁刺激，用于制作保健或医疗器械，该器械用于改善脑功能、治疗脑疾病。
主权项：1.一种中枢神经磁刺激装置，用于制作保健或医疗器械，其特征在于，包括：电源、控制电路和线圈部件；所述控制电路包括主控芯片和主电路，所述电源为所述控制电路供电，所述控制电路输出时变电流至所述线圈部件，以产生相应的时变磁场；所述时变磁场的作用区域与人体头部尺寸相匹配，所述时变电流以预设频率节律性输出，所述预设频率大于2000Hz；其中，所述线圈部件由至少一个平面绕制的线圈组成，且所述线圈部件的排布设计使得其能够产生与大脑尺寸相匹配的目标区域内强度分布近似均匀的时变磁场；所述时变电流以预设频率节律性输出，包括：所述时变电流以预设频率输出，且以适当占空比构成节律性簇状发放的串列节律进行输出；或者，所述时变电流以预设频率输出，且以差频方式形成节律包络线输出；并且，所述时变电流的节律性输出具有间歇特性；所述时变磁场在所述作用区域的峰值强度在0.5Gs至100Gs之间,与人脑对应的区域的峰值磁场强度为0.5Gs至20Gs之间，且其时间变化率在所述作用区域小于35TS。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑云峰 安提思脑科学研究院(北京)有限公司 中枢神经磁刺激装置及具有其的保健或医疗器械
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