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申请/专利权人：观淮(淮安)微电子有限公司

摘要：本发明涉及一种跨电压域可选内置上拉电阻复用系统，包括SCLSDA接口、第一上拉电阻、第二上拉电阻、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和三个逻辑保持模块。两个上拉电阻的一端分别与SCLSDA接口的两端相连，另一端分别经由第一和第二PMOS晶体管连接至选择电压；第一逻辑保持模块与选择电压相连，第二和第三逻辑保持模块分别与SCLSDA接口的两端相连；每一逻辑保持模块包括块内NMOS晶体管、块内PMOS晶体管和块内反相器；块内NMOS晶体管用作传输门且栅极接偏置电压，块内PMOS晶体管和块内反相器起高电平锁存作用。本发明能够实现可选内置上拉电阻复用，且能有效防止不同电压域的芯片之间进行通信时的电压反灌问题，同时避免了电源到地的漏电流。

主权项：1.一种跨电压域可选内置上拉电阻复用系统，其特征在于，包括SCLSDA接口、第一上拉电阻（R1）、第二上拉电阻（R2）、第一PMOS晶体管（MP1）、第二PMOS晶体管（MP2）、三个逻辑保持模块；第一上拉电阻（R1）和第二上拉电阻（R2）的第一端分别与SCLSDA接口的两端相连；第一上拉电阻（R1）的第二端和第二上拉电阻（R2）的第二端分别与第一PMOS晶体管（MP1）的漏极和第二PMOS晶体管（MP2）的漏极相连；第一PMOS晶体管（MP1）的衬底极上的电压和第二PMOS晶体管（MP2）的衬底极上的电压分别等于各自所在晶体管漏极上的电压；第一PMOS晶体管（MP1）的源极和第二PMOS晶体管（MP2）的源极均连接至选择电压（Vsel）；第一PMOS晶体管（MP1）的栅极和第二PMOS晶体管（MP2）的栅极相连，且第一PMOS晶体管（MP1）栅极上的电压与选择电压（Vsel）反相；每一逻辑保持模块包括块内NMOS晶体管（MNa，MNb，MNc）、块内PMOS晶体管（MPa，MPb，MPc）和块内反相器；每一逻辑保持模块中：块内NMOS晶体管（MNa，MNb，MNc）的栅极接偏置电压（Vbias），漏极连接块内反相器的输入端，衬底极连接至接地电压（GND）；块内PMOS晶体管（MPa，MPb，MPc）的源极和衬底极连接电源电压（VDD），栅极连接模块反相器的输出端，漏极连接块内反相器的输入端；块内反相器的正极和负极分别连接至电源电压（VDD）和接地电压（GND）；第一逻辑保持模块的块内NMOS晶体管（MNa）的源极连接至所述选择电压（Vsel）；第二和第三逻辑保持模块的块内NMOS晶体管（MNb，MNc）的源极分别连接至第一上拉电阻（R1）的第一端和第二上拉电阻（R2）的第一端；第二PMOS晶体管（MP2）的栅极与第一逻辑保持模块的块内反相器的输出端相连。

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