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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：有源图案，位于第一基板上并且包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面；数据存储图案，位于所述有源图案与所述第一基板之间并且连接到所述有源图案的所述第一表面；位线，位于所述有源图案上，连接到所述有源图案的所述第二表面，并且在第二方向上延伸；字线，位于所述有源图案的侧壁上；第二基板；外围栅极结构，位于所述第二基板的第一表面上；第一连接布线结构，位于所述第二基板的所述第一表面上并且连接到所述外围栅极结构和所述位线；第二连接布线结构，位于所述第二基板的第二表面上；以及贯通通路，穿透所述第二基板并且连接所述第一连接布线结构和所述第二连接布线结构。
主权项：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在第一基板上，并且包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面，以及在第二方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；数据存储图案，所述数据存储图案设置在所述有源图案与所述第一基板之间并且连接到所述有源图案的所述第一表面；位线，所述位线设置在所述有源图案上，连接到所述有源图案的所述第二表面，并且在所述第二方向上延伸；字线，所述字线设置在所述有源图案的所述第一侧壁上并且在第三方向上延伸；第二基板，所述第二基板包括在所述第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面，所述第二基板的所述第一表面面向所述第一基板；外围栅极结构，所述外围栅极结构设置在所述第二基板的所述第一表面上；第一连接布线结构，所述第一连接布线结构设置在所述第二基板的所述第一表面上并且连接到所述外围栅极结构和所述位线；第二连接布线结构，所述第二连接布线结构设置在所述第二基板的所述第二表面上；以及贯通通路，所述贯通通路穿透所述第二基板并且连接所述第一连接布线结构和所述第二连接布线结构。
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