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申请/专利权人:内蒙古大全半导体有限公司
摘要:本发明适用于电子级多晶硅清洗技术领域,一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法,其包括:刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量L与硅料转运带液量M之和。有益效果:本发明既可有效避免硅料带液量过多影响校正槽中的酸浓度,又可有效避免转运时间过长导致硅料表面产生酸斑,有效的提高了硅料的产品质量,保证了后续批次的硅料清洗效果,增加了刻蚀槽和校正槽内酸液的连续清洗批次,提高了清洗效率,保证了产品质量的稳定性。
主权项:1.一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法,其特征在于:其包括:刻蚀槽和校正槽的补液量分别为相应的反应消耗量L与硅料转运带液量M之和。
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百度查询: 内蒙古大全半导体有限公司 一种电子级多晶硅清洗过程中的补液量测试方法
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