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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及具有改进的导通状态性能的HEMT器件及其制造过程。一种HEMT晶体管具有本体和栅极区域，本体具有顶表面和异质结构，栅极区域具有半导体材料并且布置在本体的顶表面上。栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁。HEMT器件还具有非导电材料的密封层，该密封层在栅极区域的第一侧向侧壁和第二侧向侧壁上延伸并与其接触；以及非导电材料的钝化层，该钝化层具有表面部分。表面部分在本体的顶表面上侧向于栅极区域的第一侧向侧壁延伸。密封层与钝化层具有不同的几何参数和或由不同材料制成。
主权项：1.一种HEMT器件，包括：本体，具有顶表面和异质结构；栅极区域，包括半导体材料，布置在本体的顶表面上，栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁；非导电材料的密封层，在栅极区域的第一侧向侧壁和第二侧向侧壁上延伸并与其接触；非导电材料的钝化层，具有在本体的顶表面上侧向于栅极区域的第一侧向侧壁延伸的表面部分，密封层与钝化层具有不同的几何参数；以及非导电材料的间隔物区域，位于钝化层与密封层之间，该间隔物区域将密封层与处于其中钝化层不在本体的顶表面上的位置的钝化层分开。
全文数据：
权利要求：
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