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申请/专利权人：杭州邦齐州科技有限公司
摘要：本发明提供了一种星状金纳米结构阵列的制备方法，属于纳米光学材料技术领域。本发明所述制备方法包括以下步骤：将上表面制备有聚苯乙烯微球单层膜的基底进行第一氧处理，扩大聚苯乙烯微球单层膜上相邻聚苯乙烯微球的间隙，得到氧处理基底；通过磁控溅射在氧处理基底的上表面沉积金膜，得到复合结构基底；对复合结构基底依次进行离子束刻蚀处理、第二氧处理和退火处理，去除聚苯乙烯微球和聚苯乙烯微球表面的金膜，保留复合结构基底上表面剩余金膜，在基底上表面得到由星状金纳米颗粒形成的星状金纳米结构阵列。本发明提供的制备方法简单，不需要使用有毒有害的化学品对星状金纳米颗粒进行修饰，减少化学品在星状金纳米颗粒表面的残留，降低污染。
主权项：1.一种星状金纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底的上表面制备聚苯乙烯微球单层膜，所述聚苯乙烯微球单层膜由相互接触的聚苯乙烯微球形成；将上表面制备有聚苯乙烯微球单层膜的基底进行第一氧处理，使聚苯乙烯微球单层膜上相邻聚苯乙烯微球之间的间隙扩大至15～25nm，得到氧处理基底；以磁控溅射的方式在所述氧处理基底的上表面沉积金膜，得到复合结构基底；对所述复合结构基底依次进行离子束刻蚀处理、第二氧处理和退火处理，去除所述聚苯乙烯微球和所述聚苯乙烯微球表面的金膜，保留所述复合结构基底上表面剩余金膜，在基底上表面得到由星状金纳米颗粒形成的所述星状金纳米结构阵列；所述离子束刻蚀处理的条件包括：刻蚀角度为40°～50°，氩气流量为5～10sccm，腔内压强为8×10-4～8.6×10-4Pa，刻蚀时间为160～300s。
全文数据：
权利要求：
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