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申请/专利权人：凌锐半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种嵌入式层间介质层结构及其制备方法，属于半导体电子信息技术领域。本发明利用多晶硅和氧化硅之间107：1的刻蚀选择比差异，在栅极多晶硅沉积填满沟槽后，增加回刻深度将多晶硅刻蚀至一定深度，然后进行氧化硅层间介质层填充沟槽中多晶硅顶部的空间，并增加层间介质层化学机械研磨工艺实现晶圆表面平坦化，从而实现一种嵌入式层间介质层结构，保证栅极多晶硅和源极金属之间的电气隔离；最后在化学机械研磨后裸露的碳化硅表面进行欧姆接触等后续工艺，此时平坦的晶圆表面有利于后续如金属层次对位刻蚀等工艺的实现。另外，P+采用三维版图布局，从而可以在无欧姆接触孔结构的情况下，实现表面金属与P+连接。
主权项：1.一种嵌入式层间介质层结构，其特征在于，包括基底，以及依次位于其上方的N-外延层和金属层；所述N-外延层从下到上包括N-漂移区、p型体区、P+N+混合区；其中，所述P+N+混合区包括P+区和N+区，所述P+区与N+区毗邻，且交错设计；所述P+N+混合区沿Y轴和Z轴方向开设有栅极沟槽，且所述栅极沟槽的顶部与所述金属层底部连接，栅极沟槽的底部贯穿至所述N-漂移区；所述栅极沟槽表面沉积有氧化硅形成栅氧，且元胞表面栅氧在后续层间介质层化学机械研磨时被去除；所述栅极沟槽内填充有栅极多晶硅，且所述栅极多晶硅的深度高于所述P+N+混合区的底部，且低于P+N+混合区的顶部；所述栅极多晶硅上方填充有层间介质层，所述层间介质层的顶部与所述金属层连接。
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权利要求：
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