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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明提供一种单极性忆阻器的制备方法，所述制备方法包括制作衬底、制作底电极和功能层、光刻、制作顶电极和清洗。本发明抛弃了现有技术中多次光刻，并在完成底电极制作后对所述底电极的一部分进行遮盖处理，并在清洗前移除，以方便器件的后续使用和测试。本发明还提供了该制备方法得到的单极性忆阻器，以及利用所述单极性忆阻器构造的真随机数发生器。本发明提供的单极性忆阻器和真随机数发生器具备结构简单、高安全性、高效性等优点，能够在信息加密传输中有效地保护信息的安全。
主权项：1.一种单极性忆阻器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S100：制作衬底；步骤S200：制作底电极，在所述底电极制作完成后，使用胶布对所述底电极的一部分进行遮盖处理；步骤S300：制作功能层，采用Ta2O5、HfO2双层薄膜作为所述单极性忆阻器的功能层；步骤S400：光刻；步骤S500：制作顶电极，获得单极性忆阻器；步骤S600：去除步骤S200中的所述胶布，并清洗所述单极性忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 一种单极性忆阻器及其制备方法和真随机数发生器
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