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申请/专利权人:山东大学
摘要:本发明属于氧化镓单晶生长技术领域,具体涉及导模法生长大尺寸010主面氧化镓单晶的装置、系统和方法。本发明采用非优势生长晶向001作为生长籽晶,010晶面作为晶体主面,使用导模法成功生长出大尺寸010主面氧化镓单晶,并针对方案实施过程中易出现的枝状晶缺陷问题,使用特定温场及坩埚上盖构建了适配的外部温度梯度,进一步满足010主面晶体固液生长界面前沿温度梯度要求,成功的抑制了枝状晶缺陷的形成,提高了大尺寸010主面氧化镓单晶导模法生长技术成熟度,使氧化镓晶体材料成功脱离大尺寸010晶面衬底的制备困境。
主权项:1.一种导模法生长大尺寸010主面氧化镓单晶的装置,其特征在于,包括由内至外同中心设置的模具、坩埚、保温材料和加热线圈,所述坩埚上设置有于模具宽度方向设计开放式缺口的坩埚上盖,所述保温材料自模具上表面的平行面向上减薄至13后再增厚。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东大学 导模法生长大尺寸(010)主面氧化镓单晶的装置、系统和方法
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