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申请/专利权人：北京量子信息科学研究院

摘要：本发明公开了一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路。该方法包括：a设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；b设置第二刻蚀参数，基于所设置的第二刻蚀参数，利用第二刻蚀气体去除形成在所述硅片的露出的部分的保护层；c设置第三刻蚀参数，基于所设置的第三刻蚀参数，利用第三刻蚀气体对去除了所述保护层的所述露出的部分进行刻蚀，以形成所述硅通孔的一部分，所述硅通孔的所述一部分还构成下一次循环的刻蚀用通孔；d设置第四刻蚀参数，基于所设置的第四刻蚀参数，利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层。

主权项：1.一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法，所述硅通孔贯穿硅片形成，所述硅片的第一表面上形成有氧化硅掩模层，所述硅片的第二表面上形成有氧化硅阻挡层，所述氧化硅掩模层中形成有刻蚀用通孔并且通过所述刻蚀用通孔露出所述硅片的一部分，其特征在于，包括：循环执行以下步骤来刻蚀所述硅片直至露出所述第二表面上的氧化硅阻挡层以形成所述硅通孔：（a）设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；（b）设置第二刻蚀参数，基于所设置的第二刻蚀参数，利用第二刻蚀气体去除形成在硅片的通孔底部的保护层，使通孔底部露出待刻蚀的硅片表面；（c）设置第三刻蚀参数，基于所设置的第三刻蚀参数，利用第三刻蚀气体对去除了所述保护层的所述露出的部分进行刻蚀，以形成所述硅通孔的一部分，所述硅通孔的所述一部分还构成下一次循环的刻蚀用通孔；（d）设置第四刻蚀参数，基于所设置的第四刻蚀参数，利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层；其中，每当执行步骤（c）之后，所述硅通孔的形成部分的侧壁具有扇贝纹形状的凹凸不平结构，在利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层的同时，所述第四刻蚀气体与所述硅通孔的所述形成部分的侧壁的硅成分反应，在所述侧壁的扇贝的表面形成氧化硅层，其中，所述第四刻蚀气体是氧气等离子体；其中，采用BOE腐蚀一次性去除所述硅片的所述第一表面上残留的所述氧化硅掩模层、所述硅片的第二表面上的所述氧化硅阻挡层以及所述通孔的所述侧壁上的所述氧化硅层以形成贯穿的所述硅通孔，其中，通过所述BOE腐蚀去除所述通孔的所述侧壁上的所述氧化硅层在所述侧壁上形成平滑的侧壁表面。

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