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申请/专利权人：聊城大学
摘要：本发明涉及铁电陶瓷材料领域，尤其涉及一种高储能的BT‑BMT体系陶瓷及其制备和电容器。该BT‑BMT体系陶瓷的通过掺杂BMT，形成PNRs结构，得到BT‑xBMT体系陶瓷,其化学通式为：1‑xBT‑xBiMg23Ta13O3，x＝0.075‑0.15，该BT‑BMT体系陶瓷具有等轴晶粒和细长晶粒混合结构，且细长晶粒的长度介于3.58‑11.68μm之间，宽度介于0.48‑1.44μm之间。本发明的有益效果是：该方法采用固相合成法制备钙钛矿型BT‑xBMT陶瓷材料体系，实现BT‑xBMT陶瓷材料综合储能性能的提高。
主权项：1.一种高储能的BT-BMT体系陶瓷，其特征在于，所述BT-BMT体系陶瓷通过掺杂BMT，形成PNRs结构，得到BT-BMT体系陶瓷,其化学通式为：0.925BT-0.075BiMg23Ta13O3，所述BT-BMT体系陶瓷具有等轴晶粒和细长晶粒混合结构，细长晶粒所占的体积为1％-2％，且细长晶粒的长度介于3.58-11.68μm之间，宽度介于0.48-1.44μm之间；BT-BMT陶瓷利用传统的固相合成法进行合成制备，所用的高纯原料包括：BaCO3,TiO2,Bi2O3,MgO和Ta2O5；首先，BaCO3,TiO2,Bi2O3,MgO和Ta2O5粉体按化学计量比进行计算和配比，然后放入行星磨在无水乙醇中进行球磨24小时，球磨介质是ZrO2球；球磨后的物料干燥后在950℃下预烧3小时进行合成；合成后的BT-BMT粉体二次球磨24小时，然后烘干，烘干后的混合料用PVA做粘结剂在干压成型机上压成10mm直径的圆片；经排塑后，在1210℃下烧结3小时；烧结的样品两面抛光后双面涂覆银极和金极，然后分别在650℃和250℃烧结20分钟后成为电极，制备得到的陶瓷在710kVcm的超高场强下获得了卓越的储能性能，包括总能量密度Wtot为5.10Jcm3、可回收能量密度Wrec为4.47Jcm3和储能效率η为87.7％。
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百度查询： 聊城大学 一种高储能的BT-BMT体系陶瓷及其制备和电容器
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