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半导体器件和用于转移半导体器件的方法 

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申请/专利权人:艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司

摘要:提出一种半导体器件,所述半导体器件包括构成用于产生第一主波长的光的半导体本体10,所述半导体本体带有具有至少两个接触区域的第一主侧和与第一主侧相对置的具有光发射面的第二主侧。在第二主表面上设置有覆层,所述覆层对于第一主波长的波长范围中的光是基本上透明的,并且对于第二主波长的波长范围中的光是起吸收作用的或起反射作用的,其中第二主波长的波长范围低于第一主波长的波长范围,并且低于450nm、尤其低于420nm、并且尤其低于390nm。

主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:构成用于产生第一主波长的光的半导体本体10,所述半导体本体带有第一具有至少一个接触区域22,23的第一主侧和与所述第一主侧相对置的并且具有光发射面的第二主侧;设置在所述第二主侧上的覆层20,所述覆层对于所述第一主波长的波长范围中的光是基本上透明的;并且对于第二主波长的波长范围中的光是起吸收作用的或起反射作用的,其中所述第二主波长的波长范围低于所述第一主波长的波长范围,并且低于450nm、尤其低于420nm、并且尤其低于390nm。

全文数据:

权利要求:

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