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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本实用新型公开了一种发光器件的外延片及发光器件。所述外延片包括沿选定方向依次层叠设置的硅衬底、衬底缓冲结构层、III族氮化物成核层、III族氮化物缓冲结构层和III族氮化物外延层，其特征在于，衬底缓冲结构层包括：沿选定方向依次层叠设置在硅衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层和第四缓冲层，第一缓冲层包括SiO2层，第二缓冲层包括第一SiN层，第三缓冲层包括Al2O3层，第四缓冲层包括第二SiN层，其中，第二SiN层具有多个间隔分布的第二微孔结构，第二微孔结构沿选定方向贯穿第二SiN层。本实用新型提供的一种发光器件的外延片，通过在硅衬底和外延层之间设置衬底缓冲结构层，提高了外延片的晶体质量，同时改善了外延片的漏电问题。
主权项：1.一种发光器件的外延片，包括沿选定方向依次层叠设置的硅衬底、衬底缓冲结构层、III族氮化物成核层、III族氮化物缓冲结构层和III族氮化物外延层，其特征在于，所述衬底缓冲结构层包括：沿所述选定方向依次层叠设置在硅衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层和第四缓冲层，所述第一缓冲层包括SiO2层，所述第二缓冲层包括第一SiN层，所述第三缓冲层包括Al2O3层，所述第四缓冲层包括第二SiN层，其中，所述第二SiN层具有多个间隔分布的第二微孔结构，所述第二微孔结构沿所述选定方向贯穿所述第二SiN层，所述III族氮化物成核层层叠设置在一所述第二SiN层上，且所述III族氮化物成核层的局部还延伸设置在所述第二微孔结构内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 发光器件的外延片及发光器件
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