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申请/专利权人：润新微电子(大连)有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件外延结构的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长AlN层、过渡层、高阻层、掺杂有Mg的新增p‑GaN层、新增沟道层、沟道层、势垒层和p‑GaN层；多层所述新增p‑GaN层和多层所述新增沟道层交替设置；生长所述新增p‑GaN层和新增沟道层时采用900～1000℃的低温生长工艺。本发明的半导体器件外延结构的制备方法，制备得到的GaN的粗糙度0.5nm以下。同时在GaN沟道层下方增加多层掺杂低浓度Mg的P‑GaN层，能够在保证Vth变化不大或者有所提升的前提下，可以采用更厚的势垒层和更高的Al％组分，更加有效的抑制上层P‑GaN层中Mg的扩散和更好发挥器件性能，同时由于势垒层的厚度加厚，其晶体质量变好，也能进一步提升器件的栅稳定型，器件更加可靠。
主权项：1.一种半导体器件外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上生长AlN层、过渡层、高阻层、掺杂有Mg的新增p-GaN层、新增GaN沟道层、沟道层、势垒层和p-GaN层；多层所述新增p-GaN层和多层所述新增GaN沟道层交替设置；生长所述新增p-GaN层和新增GaN沟道层时采用900~1000℃的低温生长工艺；所述新增p-GaN层和新增GaN沟道层的制备具体包括如下步骤：a.将向MOCVD反应室中通入的载气由H2切换成N2，对所述反应室进行压力调整；b.调整温度至900~1000℃，并加入不同流量的NH3、TMGa和Cp2Mg，在高阻层表面依次生长新增p-GaN层和新增GaN沟道层。
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