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一种设有外延结构的氮化镓半导体器件 

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申请/专利权人:深圳市华亿半导体有限公司

摘要:本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种设有外延结构的氮化镓半导体器件,包括器件本体,所述器件本体的四周套接有缓冲组件,所述缓冲组件包括第一缓冲垫,所述第一缓冲垫的内部开设有缓冲槽,所述缓冲槽的两侧内壁均开设有限位孔,所述器件本体的四周侧壁固定安装有限位杆,所述限位杆的一端穿过缓冲槽并与限位孔插接安装,本实用新型主要是通过第一缓冲垫能够吸收和分散冲击能量,保护器件内部的芯片和其他脆弱部分免受损坏,通过限位杆与限位孔的插接安装,器件本体与缓冲组件之间形成了稳定的连接,不仅保证了器件结构的稳固性,还能在器件受到冲击时提供额外的支撑和固定作用,从而增强器件的整体稳定性。

主权项:1.一种设有外延结构的氮化镓半导体器件,包括器件本体1,其特征在于:所述器件本体1的表面安装有芯片3,所述器件本体1的四周套接有缓冲组件,所述缓冲组件包括第一缓冲垫4,所述第一缓冲垫4的内部开设有缓冲槽405,所述第一缓冲垫4呈三角形设置,所述缓冲槽405的两侧内壁均开设有限位孔404,所述器件本体1的四周侧壁固定安装有限位杆403,所述限位杆403的一端穿过缓冲槽405并与限位孔404插接安装。

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权利要求:

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