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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种调控N型氧化镓单晶衬底片电学性能的方法及装置，其中方法包括：步骤一、将单晶衬底片放置在陶瓷架上，将锡源放入陶瓷舟中，将陶瓷架和陶瓷舟放置在炉体内；步骤二、封闭炉体，抽吸炉体内的气体至炉体内气压达到0.1Pa以下，之后炉体内不再通入气体或仅通入保护气体；步骤三、将炉体内的温度提升至800℃～1600℃，之后保温3h～48h；步骤四、将炉体内的温度降至室温，取出衬底片。与现有技术相比，本发明通过提高炉体内锡元素的浓度，抑制单晶衬底片中掺杂元素的挥发，使得在热处理过程中，提高单晶衬底片中的掺杂元素浓度，从而保证单晶衬底片的电阻率下降或不变，并提高单晶衬底片中的掺杂均匀性。
主权项：1.一种调控N型氧化镓单晶衬底片电学性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将单晶衬底片放置在陶瓷架上，将锡源放入陶瓷舟中，将所述陶瓷架和所述陶瓷舟放置在炉体内；步骤二、封闭所述炉体，抽吸所述炉体内的气体至所述炉体内气压达到0.1Pa以下，之后所述炉体内不再通入气体或仅通入保护气体；步骤三、将所述炉体内的温度提升至800℃～1600℃，之后保温3h～48h；步骤四、将所述炉体内的温度降至室温，取出衬底片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州镓仁半导体有限公司 调控N型氧化镓单晶衬底片电学性能的方法及装置
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