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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明公开用于生长单晶硅锭的方法。可在制造单晶硅锭期间产生并使用监测多个锭生长参数的动态状态图表。在一些实施例中，所述动态状态图表是具有多个区段的动态圆形图图表，其中每一区段监测锭生长参数。
主权项：1.一种用于在丘克拉斯基工艺中生长单晶硅锭的方法，所述方法包括：在坩埚中制备硅熔融物；从所述熔融物抽出单晶硅锭；提供与所述单晶硅锭的生长相关的多个生长参数；提供包含所述多个生长参数的视觉表示的动态状态图表，所述动态状态图表是被划分为多个区段的圆形状态图表，每一区段与生长参数相关联；及在屏幕上显示包含所述多个生长参数的图形表示的所述圆形状态图表，所述圆形状态图表包含与每一生长参数相关联的最小及最大生长参数视觉，所述最小及最大生长参数视觉是图形表示。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 生长单晶硅锭时动态状态图表的产生及使用
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