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申请/专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司
摘要：本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种掺锑单晶拉晶工艺方法。所述掺锑单晶拉晶工艺方法包括熔料、加掺、引晶、放肩以及等径；本发明通过调控加掺工艺、熔料工艺的功率以及拉晶时的埚转、炉压及氩气流量，进而实现了在不同炉台之间生长的单晶硅电阻率差异性降低，并且单根晶棒头尾电阻差异性＜0.1Ω，提升了硅片的生产效率和成品率。
主权项：1.一种掺锑单晶拉晶工艺方法，其特征在于，包括熔料、加掺、引晶、放肩以及等径；所述加掺的桶数为最后一桶；所述加掺最后一桶时熔料功率由100-110kW调整至80-90kW，炉压由5-7torr调整至15-20torr；所述等径长度在0-500mm之间时，氩气流量为90-100slpm、炉压为5-8torr、埚转为5.5-6rmin；所述等径长度在500mm直至拉晶结束之间时，氩气流量从90-100slpm调整至70-80slpm、炉压从5-8torr调整至11-13torr、埚转从5.5-6rmin调整至4-5slpm。
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权利要求：
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