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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供了一种大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；单晶金刚石的制备。在Si衬底覆盖金刚石籽晶后生长多晶金刚石；对多晶金刚石正面抛光；在抛光后的多晶金刚石正面固定临时载片；去除Si衬底并对多晶金刚石背面抛光；去除临时载片形成自支撑多晶金刚石衬底；在MgO衬底上沉积定晶向Ir膜得到IrMgO复合衬底；将自支撑多晶金刚石衬底正面与IrMgO复合衬底进行键合，形成多晶金刚石定晶向Ir膜MgO复合衬底；去除MgO衬底形成覆Ir金刚石复合衬底；在覆Ir金刚石复合衬底上生长单晶金刚石，制得大尺寸单晶金刚石。
主权项：1.一种大尺寸单晶金刚石衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括：自支撑多晶金刚石衬底的制备；覆Ir金刚石复合衬底的制备；基于所述覆Ir金刚石复合衬底的单晶金刚石的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 大尺寸单晶金刚石衬底及其制备方法
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