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申请/专利权人：西安晟光硅研半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种大尺寸金刚石晶体的切片方法，包括：将金刚石晶体的籽晶面固定在第一工装上，并调整微射流激光与生长面的角度；设置切割参数并确定切割原点；将生长面固定在第二工装上；沿第一矩形切割轨迹对金刚石晶体进行往复切割，直至切割深度达到第一预设深度；沿第二矩形切割轨迹对金刚石晶体进行往复切割，直至切割深度达到第二预设深度；从切割原点往复切割至第三预设深度；将第一工装和第二工装连同金刚石晶体沿第一工装的中心线翻转并重复上述步骤，直至完全切断；对呈台阶状的切割面继续切割以形成平整的切割面。本发明通过矩形扩缝和翻转切割的方式逐层进行切割，避免了切割槽中积水对微射流激光功率的影响，提高了切割效率。
主权项：1.一种大尺寸金刚石晶体的切片方法，其特征在于，包括：S1：将待切割的金刚石晶体的籽晶面固定在第一工装上，并调整微射流激光与所述金刚石晶体的生长面的角度，所述金刚石晶体包括籽晶面以及与所述籽晶面相对且平行的生长面；S2：设置微射流激光加工设备的切割参数并确定切割原点的位置；S3：将所述金刚石晶体的生长面固定在第二工装上，所述第一工装的中心线与所述第二工装的中心线在同一直线上；S4：从所述切割原点开始沿第一矩形切割轨迹对所述金刚石晶体进行往复切割，直至切割深度达到第一预设深度后返回所述切割原点；S5：从所述切割原点开始沿第二矩形切割轨迹对所述金刚石晶体进行往复切割，直至切割深度达到第二预设深度后返回所述切割原点；S6：从所述切割原点开始沿所述金刚石晶体的长度方向往复切割至第三预设深度；S7：将所述第一工装和所述第二工装连同所述金刚石晶体沿所述第一工装的中心线同时翻转180°并重复步骤S4~S6，直至所述金刚石晶体完全切断，形成固定在所述第一工装上的光滑无台阶的切割面以及固定在所述第二工装上呈台阶状的切割面；S8：对固定在所述第二工装上呈台阶状的切割面继续进行切割，以形成平整的切割面。
全文数据：
权利要求：
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