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申请/专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
摘要：本发明提供一种硅单晶破损层厚度的测试方法，属于单晶硅表面缺陷检测技术领域，包括：S1、对被测硅片表面的Rz进行测试，记录数据为Rz‑1，其中Rz为被测硅片表面的微观轮廓波峰波谷之和；S2、利用酸液或碱液对被测硅片进行刻蚀；S3、刻蚀之后进行清洗并继续测试被测硅片表面的Rz，记录数据为Rz‑2，其中，测试方法、路径及位置与步骤S1相同；S4、采用与步骤S2相同的方式，对步骤S3测试后的被测硅片继续进行刻蚀；S5、刻蚀之后进行清洗并继续测试被测硅片表面的Rz，记录数据为Rz‑3，其中，测试方法、路径及位置与步骤S1相同；S6、根据Rz‑1、Rz‑2、Rz‑3确定被测硅片的破碎层厚度DOD。本发明通过Rz测试法，增大样本数量，减小测试结果偏差，提高测试结果的准确性。
主权项：1.一种硅单晶破损层厚度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对被测硅片表面的Rz进行测试，记录数据为Rz-1，其中Rz为被测硅片表面的微观轮廓波峰波谷之和；S2、利用酸液或碱液对被测硅片进行刻蚀；S3、刻蚀之后进行清洗并继续测试被测硅片表面的Rz，记录数据为Rz-2，其中，测试方法、路径及位置与步骤S1相同；S4、采用与步骤S2相同的方式，对步骤S3测试后的被测硅片继续进行刻蚀；S5、刻蚀之后进行清洗并继续测试被测硅片表面的Rz，记录数据为Rz-3，其中，测试方法、路径及位置与步骤S1相同；S6、根据Rz-1、Rz-2、Rz-3确定被测硅片的破碎层厚度DOD。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏申和新材料科技有限公司 硅单晶破损层厚度的测试方法
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