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申请/专利权人:天津航天长征火箭制造有限公司
摘要:本发明提供了一种无底孔椭球底整体旋压成形控制方法,包括以下步骤:旋压型胎设计;确定板坯厚度;板坯下圆;压鼓预成形;旋压轨迹参数确定;旋压温度控制。本发明有益效果:通过旋压胎设计、旋压轨迹设计并结合加热温度控制,克服旋压坯料无定位孔定位与传扭,板坯偏置等困难,首次实现运载火箭贮箱箱底板坯无开孔集顶盖、圆环、叉形环板一次旋压成形。
主权项:1.一种无底孔椭球底整体旋压成形控制方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、旋压型胎设计;S2、确定板坯厚度;S3、板坯下圆;S4、压鼓预成形;S5、旋压轨迹参数确定;S6、旋压温度控制;在步骤S5中,旋压轨迹参数确定,包括:S51、道次参数确定:旋压道次以箱底弧长进行等分进行确定,道次间隔l取值范围为100~200mm,型胎轮廓线总长度L0与旋压道次数N分别表示为: 式2中,f'1x1为曲线f1x1的导函数;S52、确定旋压轨迹:旋压过程的偏离程度划分为四个部分,分别为剪旋压部分、圆环部分、叉形环过渡部分、直线段部分;在步骤S52中,剪旋压部分,包括:起旋后1~3道次采用剪旋,并采用负偏离,偏离程度由旋压压下量确定,表示为: 式中:Pc为板坯厚度;ε为名义压下率;为偏离率;其中名义压下率在剪旋道次设定为40±5%;偏离率在剪旋道次设定为10~15%;在步骤S52中,圆环部分,包括:圆环部分采用普旋,偏离程度参数与有底孔旋压箱底一致,采用固定参数,负偏离设置1~2mm;在步骤S52中,叉形环过渡部分,包括:叉形环过渡部分采用普旋,偏离率采用由负偏离过渡到正偏离设置,确定叉形环过渡部分旋压道次,偏离率于叉形环过渡部分最后一个道次增加到0~2mm;在步骤S52中,直线段部分,包括:直线段部分采用普旋压,采用正偏离参数设定,直线段部分偏离程度为渐进式设定,偏离程度B与直线段长度I一次函数关系,具体表示为:B=kI+b5;式中:B为偏离程度;I为直线段长度;k为比例系数;b为初始偏离程度;其中直线段末端处的偏离程度根据旋压后产品收缩情况确定:B=α×D×K1-K26;式中:α为材料的热膨胀系数;D为产品直径;K1、K2分别为加热温度和室温温度。
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