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申请/专利权人：烟台万华电子材料有限公司
摘要：本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：1将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；2将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2Lmin～0.8Lmin的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；3将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m2g，孔径分布在0.4nm～5nm。本发明提供了一种利用高比表面积的多孔碳材料催化转化低阶硅烷合成高阶硅烷的方法，本发明的制备方法极大地降低了原料的损失、催化低阶硅烷合成转化为高阶硅烷。
主权项：1.一种丙硅烷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包含如下步骤：1将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对所述耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持所述抽真空条件；2将所述耐压容器的温度降低至-160～-50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2Lmin～0.8Lmin的流速通入至所述耐压容器中，静置30～120min；3将所述耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，所述多孔碳材料的比表面积≥500m2g，孔径分布在0.4nm～5nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 烟台万华电子材料有限公司 一种丙硅烷的制备方法
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