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摘要：本发明涉及一种基于SiCMOSFET门限电压的动态结温测量装置，包括：电流检测部分，与被测SiCMOSFET的源极串联，用于在SiCMOSFET开通时产生一个正脉冲信号，在SiCMOSFET关断时产生一个负脉冲信号；门限电压采集控制部分，用于根据所述正脉冲信号和负脉冲信号生成门限电压采集控制信号；门限电压采样部分，用于根据门限电压采集控制信号对被测SiCMOSFET栅源之间的门限电压进行采集；结温值确定部分，用于根据结温和门限电压的曲线确定在采集到的门限电压下的结温值。本发明可以快速、准确、实时地测量SiCMOSFET的结温。

主权项：1.一种基于SiCMOSFET门限电压的动态结温测量装置，其特征在于，包括：电流检测部分，与被测SiCMOSFET的源极串联，用于在SiCMOSFET开通时产生一个正脉冲信号，在SiCMOSFET关断时产生一个负脉冲信号；所述电流检测部分包括一个电感和一个稳压管，所述电感的一端与所述被测SiCMOSFET的源极相连，另一端接地，所述电感两端还并联有所述稳压管；门限电压采集控制部分，用于根据所述正脉冲信号和负脉冲信号生成门限电压采集控制信号；所述门限电压采集控制部分包括第一比较器、第二比较器、或门和D触发器，所述第一比较器的正相输入端接收所述正脉冲信号，反相输入端与第一参考电压相连，所述第二比较器的正相输入端与第二参考电压相连，反相输入端接收所述负脉冲信号；所述第一比较器的输出端和第二比较器的输出端分别与所述或门的二个输入端相连，所述或门的输出端的输出信号作为所述D触发器的时钟输入信号；所述D触发器的输入端与控制所述被测SiCMOSFET的PWM控制信号相连，所述D触发器的输出信号作为门限电压采集控制信号；门限电压采样部分，用于根据门限电压采集控制信号对被测SiCMOSFET栅源之间的门限电压进行采集；所述门限电压采样部分包括开关芯片、运算放大器、电容和电压跟随器，所述运算放大器的正相输入端与所述被测SiCMOSFET的栅极相连，反相输入端与所述被测SiCMOSFET的源极相连，所述运算放大器的输出端与所述开关芯片的输入端相连，所述开关芯片的输出端与所述电压跟随器的输入端相连，所述开关芯片的控制端与所述门限电压采集控制信号相连；所述电容的一端与所述电压跟随器的输入端相连，另一端接地；所述电压跟随器的输出端与结温值确定部分相连；所述电容两端电压即为门限电压；结温值确定部分，用于根据结温和门限电压的曲线确定在采集到的门限电压下的结温值。

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百度查询： 雪龙集团股份有限公司 一种基于SiC MOSFET门限电压的动态结温测量装置