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一种功率芯片烧结模块制作方法及功率芯片烧结模块、载板冶具 

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申请/专利权人:广州美维电子有限公司

摘要:本申请涉及功率芯片技术领域,公开了一种功率芯片烧结模块制作方法及功率芯片烧结模块、载板冶具,其方法包括挑起载板冶具上的限位线,将散热铜基块塞入至安装槽内并松开限位线;对散热铜基块进行OSP处理;挑起限位线,将散热铜基块从安装槽内移出;在散热铜基块的顶面的凹槽底部印刷第一银膏;烘烤形成第一银膏层;把功率芯片贴装至第一银膏层的表面;将功率芯片粘接至第一银膏层上;在功率芯片的栅极和源极上分别印刷第二银膏;烘烤形成第二银膏层;在各第二银膏层上贴装覆盖铜片;将铜片粘接至第二银膏层上。本申请具有降低散热铜基块的表面预处理难度,改善功率芯片烧结模块可靠性的效果。

主权项:1.一种功率芯片烧结模块制作方法,其特征在于,包括以下步骤,烧结前,挑起载板冶具的安装槽上的具有延展性的限位线,将散热铜基块塞入至所述安装槽内并松开所述限位线,其中,所述限位线沿所述散热铜基块的顶面的对角线方向设置,所述安装槽的内底部设置有用于限位所述散热铜基块的限位区,所述散热铜基块的顶面设置有用于容纳功率芯片的凹槽;对所述载板冶具上的所述散热铜基块的顶面进行OSP处理,直至所述散热铜基块的顶面通过化学方法附着一层有机涂层;挑起所述限位线,将所述散热铜基块从所述安装槽内移出;在所述散热铜基块的顶面的凹槽底部印刷第一银膏;烘烤所述第一银膏,形成第一银膏层;把功率芯片贴装至所述第一银膏层的表面;高温烧结,直至所述功率芯片粘接至所述第一银膏层上,且所述第一银膏层中的溶剂彻底挥发,其中,高温烧结时的温度范围为175℃-350℃;在所述功率芯片的栅极和源极上分别印刷第二银膏;烘烤所述第二银膏,形成第二银膏层;在各所述第二银膏层上贴装铜片,所述铜片覆盖于所述第二银膏层的表面;高温烧结,直至所述铜片粘接至所述第二银膏层上,且所述第二银膏层中的溶剂彻底挥发,其中,高温烧结时的温度范围为175℃-350℃。

全文数据:

权利要求:

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