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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。
主权项：1.一种磁阻效应元件，其特征在于：包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层均包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层，与所述第二铁磁性层中的所述霍伊斯勒合金层相比，所述第一铁磁性层中的所述霍伊斯勒合金层的所述结晶区域的比例多。
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