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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元。存储器单元可包含第一电极、第二电极及所述第一电极与所述第二电极之间的自选择存储元件。所述块体区域可延伸在所述第一电极与所述侧壁区域之间。所述块体区域可包含具有第一组合物的硫属化物材料，且所述侧壁区域可包含具有不同于所述第一组合物的第二组合物的所述硫属化物材料。而且，所述侧壁区域可将所述块体区域与所述第二电极分离。
主权项：1.一种设备，其包括：第一电极；第二电极；及自选择存储元件，其定位在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述自选择存储元件包括块体区域及侧壁区域，所述块体区域延伸在所述第一电极与所述侧壁区域之间且包括具有第一组合物的硫属化物材料，且所述侧壁区域延伸在所述块体区域与所述第二电极之间且包括具有不同于所述第一组合物的第二组合物的所述硫属化物材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有竖直结构中的侧壁及块体区域的存储器单元
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