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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HKFOUP，沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；晶背清洗转至HLFOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成遮蔽层保护保护区，露出非保护区；转至HKFOUP，刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的遮蔽层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能避免超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作过程中受到污染，提高器件性能和均一性。
主权项：1.一种超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；S2，转至HKFOUP，沉积TiN；S3，沉积包裹层，包裹TiN；S4，晶背清洗转至HLFOUP；S5，光刻定义保护区和非保护区，形成遮蔽层保护保护区，露出非保护区；S6，转至HKFOUP，刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；S7，去除保护区的遮蔽层；S8，刻蚀去除非保护区的TiN；S9，沉积包裹层，包裹保护区的TiN；S10，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；S11，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN；HKFOUP是高污染风险等级的前开式晶圆传送盒，HLFOUP是低污染风险等级的前开式晶圆传送盒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 超快闪存储器侧壁TiN浮栅制作方法
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