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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HKFOUP，沉积TiN；沉积氧化层，包裹TiN；晶背清洗转至HLFOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；转至HKFOUP，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积氧化层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明利用二氧化铪的热稳定性改善超快闪存储器侧壁TiN薄膜的连续性，能提高器件性能和均一性。
主权项：1.一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；S2，沉积TiN；S3，沉积氧化层，包裹TiN；S4，晶背清洗；S5，光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；S6，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；S7，去除保护区的保护层；S8，刻蚀去除非保护区的TiN；S9，沉积氧化层，包裹保护区的TiN；S10，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；S11，刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN；其中，实施步骤S2时转至高污染风险等级的前开式晶圆传送盒，实施步骤S4时转至低污染风险等级的前开式晶圆传送盒，实施步骤S6时转至高污染风险等级的前开式晶圆传送盒；所述氧化层是二氧化铪。
全文数据：
权利要求：
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