龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：成都皮兆永存科技有限公司
摘要：本发明提供一种3D存储器件的侧壁掺杂方法，涉及存储器制备技术领域，其主要步骤为：对3D存储器件侧壁进行沉积处理，采用长波光退火工艺或快速热退火工艺进行退火处理；采用各向异性的SiO2选择特异性刻蚀的纵向刻蚀工艺，刻蚀去除保护层的部分，循环重复上述沉积、退火、刻蚀步骤预定次数，完成侧壁掺杂。本发明可以完成3D存储器件的深槽侧壁深亚微米、纳米量级厚度的掺杂，可形成深度或浓度精准可控的缓冲层。
主权项：1.一种3D存储器件的侧壁掺杂方法，其特征在于，包括下述步骤：1对3D存储器件侧壁进行沉积处理，其具体步骤为：1.1首先，采用湿法处理或干法处理方法，对侧壁表面进行预处理,形成后续沉积的附着点；1.2其次，采用湿法沉积或干法沉积进行自对准单分子层沉积，将含待掺杂元素的有机前驱体均匀沉积于预处理后的侧壁表面；1.3然后，通过化学气相沉积CVD或原子层沉积ALD技术，进行二氧化硅保护层材料的沉积或填充；2采用长波光退火工艺或快速热退火工艺进行退火处理；3采用各向异性的SiO2选择特异性刻蚀的纵向刻蚀工艺，刻蚀去除保护层的部分；循环重复所述步骤1、2、3预定次数，完成侧壁掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都皮兆永存科技有限公司 一种3D存储器件的侧壁掺杂方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号